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IXTQ 18N60P
IXTV 18N60P IXTV 18N60PS
30
Fig. 7. Input Adm ittance
27
Fig. 8. Transconductance
27
24
21
18
15
24
21
18
15
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
12
9
6
3
0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
12
9
6
3
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
60
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 300V
50
8
7
I D = 9A
I G = 10mA
40
6
30
20
T J = 125 o C
5
4
3
10
0
T J = 25 o C
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
f = 1MHz
C iss
R DS(on) Limit
1000
25μs
100
C oss
10
100μs
1ms
C rss
T J = 150oC
DC
10ms
T C = 25oC
10
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
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